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如何有效降低傳(chuán)導輻射幹擾?

更新時間:2025-06-17      點(diǎn)擊次數:289

一直以來,設計中的電磁幹擾(EMI)問題十分令人頭疼,尤其是在汽(qì)車領域。為了盡(jìn)可能的減小電磁(cí)幹擾,設計人員(yuán)通常會在設(shè)計原理圖和繪製(zhì)布局時,通過降低高di / dt的環路麵積以及開關轉(zhuǎn)換速率來減小噪聲源。

但是,有時無論布局和原理圖的設計多麽謹慎,仍然無法將傳導EMI降低到所需的水平。這是因為噪聲不僅取決於電路寄生參數,還與電流強度有關。另外,開關打開和關閉的(de)動作會產生(shēng)不連(lián)續的電流,這些不連續電流(liú)會在(zài)輸入電容(róng)上產(chǎn)生電(diàn)壓紋波,從(cóng)而增加EMI。

因此,有必要采用一些其他方法來提高傳導EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來(lái)濾除噪聲,或增加屏蔽罩來鎖住噪聲。

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圖1 EMI濾波器示意簡(jiǎn)圖(tú)

圖1是一個簡化(huà)的EMI濾波器,包括(kuò)共模(CM)濾波器和差模(DM)濾波(bō)器。 通常,DM濾波器主要用(yòng)於濾除小於30MHz的噪聲(DM噪聲),CM濾波(bō)器主要用於濾除(chú)30MHz至100MHz的(de)噪聲(CM噪聲)。 但(dàn)其實(shí)這兩個(gè)濾(lǜ)波器對於整個頻段的EMI噪(zào)聲都有一(yī)定的抑製作用。

圖2顯(xiǎn)示了一(yī)個不帶濾波器的輸入引線噪聲,包括正向噪聲和負向噪聲,並(bìng)標注了這些噪(zào)聲的(de)峰值水平和平均水平。 其(qí)中,該被測係統主要采用芯片(piàn)LMR14050SSQDDARQ1輸出5V/5A,並給後續芯(xīn)片TPS65263QRHBRQ1供電,同時輸出1.5V/3A,3.3V/2A以及1.8V/2A。 這兩個芯片都工作在2.2MHz的開關頻率下。 另外,圖(tú)中顯示的(de)傳導EMI標準是CISPR25 Class 5(C5)。有關該係統的更多信息,請查閱應用(yòng)筆記SNVA810。

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圖2 C5標準下的噪聲特性(無濾波器)

圖3顯示了增加一個DM濾波器後的EMI結果(guǒ)。 從圖中可以看出,DM濾(lǜ)波(bō)器衰減了中頻段DM噪聲(2MHz至30MHz)近35dBμV/ m。此外高(gāo)頻段噪聲(30MHz至100MHz)也有所降(jiàng)低,但仍(réng)超過限(xiàn)製水平。這(zhè)主要是因(yīn)為DM濾波(bō)器對於高頻段CM噪聲的濾除能(néng)力有限。

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圖3 C5標準下的噪聲特性(帶DM濾波器)

圖4顯示了增加CM和DM濾波(bō)器後的噪聲特(tè)性。 與圖3相比,CM濾(lǜ)波器的增加降低(dī)了近20dBμV/ m的CM噪聲。 並且EMI性能也通過了CISPR25 C5標準。

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圖4 C5標準下的噪聲特性(帶CM和DM濾(lǜ)波器)

圖(tú)5顯示了(le)不同(tóng)布局下帶(dài)CM和DM濾波器的噪聲特性,其中濾波器與圖4相同。但與(yǔ)圖4相比,整個頻段的噪聲增加了(le)大約10dBμV/ m,高頻(pín)噪聲甚至還超出CISPR25 C5標準的平均值。

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圖(tú)5 C5標準下的噪聲特性(帶(dài)CM和DM濾波器,不同布局)

圖4和圖5之間噪聲結果的不同主要是由於PCB布線差異所致,如圖6所示。圖5的布線中(圖6的右側),大麵積覆銅(GND)包圍著(zhe)DM濾波器,並和Vin走線形成了一些寄生電容。 這些寄生電容為高頻信號旁路濾波器提供了有效(xiào)的低阻抗路徑。 因此,為了最大限度地提高濾(lǜ)波器的(de)性能,需要移除(chú)濾波器周圍(wéi)所有的覆銅,如圖6左側的布線。

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圖6 不同的PCB布線

除了增加濾波器外,另一種優化EMI性能的有效方(fāng)法是增加(jiā)屏蔽罩。 這是因為連接著GND的金屬屏蔽罩可以阻止噪聲向外輻射。 圖(tú)7推薦了一種屏蔽罩的擺放方法。該屏蔽(bì)罩恰(qià)好(hǎo)覆蓋了板上所有的(de)元器件。

圖8顯示了(le)增加濾波器(qì)和屏蔽罩之(zhī)後的EMI結果。 如圖所示(shì),整個頻段的噪聲幾乎都被(bèi)屏蔽罩消除,EMI性能非常好。 這主要是因為等效為天線的長輸入引線會(huì)耦(ǒu)合大量輻射噪(zào)聲,而屏蔽罩恰好隔絕了(le)它們。在本設計中,中頻噪聲(shēng)也會采用這種方式耦合到輸入引線上。

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圖7 帶屏蔽罩的PCB 3D模型

圖(tú)片

圖(tú)8 C5標(biāo)準下的噪聲特(tè)性(帶CM,DM濾波器以及屏蔽罩)

圖9也顯示了帶濾波器和屏蔽罩(zhào)的(de)噪聲特性(xìng)。與圖8 不同的(de)是,圖9中屏蔽罩(zhào)是一個金屬盒,它包裹了整個電路板,且(qiě)隻有輸入引線裸(luǒ)露(lù)在外麵。 雖(suī)然有了這個屏蔽罩,但一些輻射噪聲仍然可(kě)以繞過EMI濾波器並(bìng)耦合到PCB上的電源線,這將會導致比圖8更差的噪聲特性。有趣(qù)的是,圖4,圖8和圖9中(相(xiàng)同的布局布(bù)線(xiàn))高頻帶的噪聲特性幾乎相同。 這是因為(wéi)在增(zēng)加EMI濾波器後,能耦合到輸入線上的高頻段輻射噪聲幾乎已經不存在了。

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圖9 C5標準下的(de)噪(zào)聲特性(帶CM,DM濾波器以及屏蔽金屬盒)

綜合來說,增加EMI濾波(bō)器或者(zhě)屏蔽罩都能(néng)有效的改善EMI性能。但是與此同時,濾波器的布局布線以及屏(píng)蔽罩的擺放位置需要仔細斟酌。

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