電磁兼容實驗室是(shì)為了進行(háng)電磁(cí)兼容試驗而建立的一類特殊的(de)實驗室。首先解釋一下電(diàn)磁兼容的基本概念:指電磁係統、分係統在各自 的電磁(cí)環境中能正常工(gōng)作而不因受到 電磁(cí)幹(gàn)擾降低工作性能的能力。對於(yú) 給定的電(diàn)磁係統或分係(xì)統,電(diàn)磁兼容具 有兩(liǎng)方麵的含義(yì):(1)本係統或分係統 不(bú)受其他係統或分係統的幹擾而(ér)影響 工作性能;(2)本係統或分係統也不對 其他(tā)係統(tǒng)或分係統(tǒng)產生上述幹擾。電 磁兼容性工作可分為兩個方麵,一方麵 是無線電管理措施,如采用頻率分配和 時間分(fèn)割的手段使係統之間不構成幹 擾;另一方麵(miàn)是各種技(jì)術措施,即采用 屏蔽、濾(lǜ)波(bō)及合理的布線、接地等措施 抑製幹擾。
為了規範電子或其他產品的電磁兼容性,需要根據相關的標準或者國家標準進行相關(guān)的電磁兼容試驗,而電磁兼容試驗進行的場所即是電磁(cí)兼容實驗室。完整(zhěng)係統的電(diàn)磁兼容實驗室一般包(bāo)括(kuò)電波(bō)暗(àn)室和屏蔽室兩類。
完整係統的電磁兼容(róng)實驗室一般包括電波暗室和屏蔽室兩(liǎng)類。首先介紹(shào)電波暗室。
電波暗室是進行輻射發射試驗和輻射(shè)抗擾度試驗的場所。根據(jù)測試距離,分(fèn)為3m法暗室、10m法暗室。十(shí)米(mǐ)跟(gēn)三米的含義是(shì)指(zhǐ)待測試(shì)品(以(yǐ)下簡稱EUT)距離天線的距離。十米法(fǎ)暗室一般為(wéi)十米法半電波暗室,是指除地(dì)麵以外的其他五麵都是鋪設了吸波材料的密閉空間,地麵為金屬地麵,能夠(gòu)模擬無反射(shè)的空闊場(chǎng)地。10m法半(bàn)電波暗室可進行輻射發射(shè)試驗(yàn)和輻射抗擾(rǎo)度(dù)試驗,以及屏(píng)蔽效能試驗等電磁兼容(róng)試驗。結合(hé)輻射騷擾、輻射抗擾度測試係統,達到如下要求:
l 10m法電波暗室滿(mǎn)足CISPR16-1-4,ANSI 63.4,CISPR11,CISPR22,CISPR25,IEC61000-4-3,GJB 152A,GB 12190等標準對輻射騷(sāo)擾和抗擾度測試(shì)場地的要(yào)求。
l 輻射騷擾測試係統滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4, CISPR16-2-1/-2/-3/-4,CISPR11,CISPR 22等標準的輻射騷擾自動化測試對電磁兼容性(EMC)測試係統的全部要求。
l 輻(fú)射騷擾測試係統滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4,CISPR16-2-1/-2/-3/-4,IEC61000-4-3等標準的輻射抗擾度(dù)自動化測試對電磁兼容性(EMC)測試係統的全部要求。
l 能夠進行CISPR11,CISPR 22,以及相應國標規定的各類電子設備(bèi)、通訊設備、汽車電子設備、工業、科學和(hé)醫療設(shè)備等(děng)的(de)輻射騷擾測試。
l 能(néng)夠進行IEC61000-4-3,GB 17619,DL/T 1087,DL/Z 713,等標準規定的各類電子設備、通訊設備、汽車電子設備、變電站和換流站二次設備(bèi)等的(de)輻射抗擾(rǎo)度測試。
l 10m法電波暗室和輻射騷擾、輻(fú)射抗擾度測試係統(tǒng)性能具有一定的前瞻(zhān)性,適應電磁兼容測試技術及標準(zhǔn)的發展方(fāng)向。
10m法電波暗室主要(yào)有五(wǔ)大技術指標分別是:屏(píng)蔽效能、歸一化(huà)場地衰減、場地(dì)電壓駐波比、場均勻性和環境噪(zào)聲。10m法電波暗室主要包括:暗室本體、屏蔽控(kòng)製室、屏蔽負載室、屏蔽(bì)功放室、轉轂工作室等幾部分。10m法(fǎ)電(diàn)波暗室的主要設施有:屏蔽體和鋼結構,屏蔽門,吸波材料,轉台和(hé)轉轂,天線塔,濾波器等。
3m法電波暗室一般為可進行半/全轉換的電波暗室。所謂全(quán)電(diàn)波暗室,是指六個麵鋪設吸波材料的電波暗室,可進行輻射(shè)抗擾度試驗;所謂半電波暗室,是指地麵為金屬地麵,其他五個麵為(wéi)吸波材料的電波暗(àn)室(shì)。三米(mǐ)法電波暗(àn)室可進行半/全電波暗室的轉換。方便(biàn)測試需求。
屏蔽室是指采用拚接結構或(huò)者焊接(jiē)結構的六麵體金屬房間,以中國電科院電磁(cí)兼(jiān)容實驗室的(de)屏蔽室(shì)來舉例,屏蔽效能(SE)在(zài)10kHz~150kHz頻段內達到90dB以上,在150kHz~18GHz頻(pín)段內達到110dB以上(shàng)。能夠滿足標準要求(qiú)。屏蔽(bì)室內(nèi)可進行GB17626係列和GB17625係列的24項電磁兼容試驗。
電磁兼容實驗室檢測(cè)項目匯總
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
10m法半電(diàn)波暗室 | 輻(fú)射發射 | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 30MHz |
輻射抗(kàng)擾度 | GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002) | 80MHz |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
3m法全電波暗室 | 輻射發(fā)射 | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 30MHz |
輻射抗擾度 | GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002) | 80MHz |
測試場(chǎng)地 | 試驗(yàn)項目 | 標準 | 備注 |
傳導幹擾測量(liàng)屏蔽室 | 傳導發射 | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 9KHz-30MHz 交流 3*690V 200A 直流 1000V 75A |
騷擾功率 | GB4343.1 | 30MHz-300MHz | |
喀嚦聲(shēng) | GB4343.1 |
測(cè)試場地 | 試驗(yàn)項目 | 標準 | 備注 |
傳導抗擾測量屏蔽室 | 電快速瞬變脈衝群抗擾(rǎo)度(dù)試驗 | GB17626.4 | .高.可(kě)達7kV |
射頻場感應的傳導騷擾抗擾度 | GB17626.6 | .高.可達30V | |
電氣照明(míng)及類似設備插入損耗試驗 | GB17743 | 9KHz-30MHz | |
電氣(qì)照明(míng)及類似設備(bèi)輻射電磁騷擾試驗 | GB17743 |
測試(shì)場地(dì) | 試驗項目(mù) | 標準 | 備注(zhù) |
諧波閃爍測量屏蔽室 | 諧波電流發射試驗 | GB17625.1-2012(IEC 61000-3-2:2009) GB17625.6-2003(IEC 61000-3-4:1998) GB17625.7-2013 | .高.可達75A |
電壓變化、電壓(yā)波動和閃爍 | GB17625.2-2007(IEC 61000-3-3:2005) GB17625.3-2000(IEC 61000-3-5:1994) | .高(gāo).可達(dá)100A | |
交流電源端口諧波抗擾度 | GB17626.13-2006(IEC 61000-4-13:2002) | .高.可達100A | |
電壓波動抗擾度試驗 | GB17626.14-2005(IEC 61000-4-14:2002) | .高.可達(dá)100A | |
直流紋(wén)波抗擾度 | GB17626.17-2005(IEC 61000-4-17:2002) | .高.可達(dá)100A | |
三相電壓(yā)不平衡試驗 | GB17626.27-2006(IEC 61000-4-27:2000) | .高.可達100A | |
工頻頻率變化抗(kàng)擾度 | GB17626.28-2006(IEC 61000-4-28:2001) | .高.可達100A | |
大於16A電壓暫(zàn)降、短時中斷和電壓變(biàn)化 | GB17626.34-2012(IEC 61000-4-34:2009) | .高.可達(dá)100A | |
直流電源(yuán)輸入端口(kǒu)電(diàn)壓暫降、短時中斷和電壓變化 | GB17626.29-2006(IEC 61000-4-29:2000) | .高.可達100A | |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
靜電放電測量屏蔽室 | 靜電放電抗擾度(dù)試驗 | GB17626.2-2006(IEC 61000-4-2:2001) | .高.可達30kV |
電(diàn)壓暫(zàn)降、短時中斷和電壓變化 | GB17626.11-2008(IEC 61000-4-11:2004) | .高.可(kě)達100A;斷電(diàn)(0-100%) | |
低(dī)頻共(gòng)模傳導抗擾度 | GB17626.16-2007(IEC 61000-4-16:2002) | .高.騷擾(rǎo)電平30V |
測試場地 | 試驗(yàn)項目 | 標準 | 備注 |
瞬態抗擾測量(liàng)屏蔽室 | 浪湧抗擾(rǎo)度 | GB17626.5-2008(IEC 61000-4-5:2005) | .高.可達(dá)10kV |
阻(zǔ)尼振蕩磁場抗擾度(dù) | GB17626.10-1998(IEC 61000-4-10:1993) | .高.可達(dá)3kV;三相440V /100A; | |
振蕩波抗擾度試驗 | GB17626.12-1998(IEC 61000-4-12:1995) | .高.可達3kV;三相440V /100A | |
工頻磁場抗擾度 | GB17626.8-2006(IEC 61000-4-8:2001) | 短時可達1000A/m | |
脈衝磁場抗擾度(dù) | GB17626.9-2011(IEC 61000-4-9:2001) | .高.可達2000A/m |
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