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電子器件所能承受靜電破壞（huài）的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下麵我們就一起來看（kàn）看吧。
以下是一些參考資料中給出的數據：
器件類型 | 靜電破壞電壓(V) | 器件類型 | 靜電破壞電壓（yā）(V) |
VMoS | 30～1800 | OP-AMP | 190～2500 |
M0SFET | 100～200 | JEFT | 140～1000 |
GaAsFET | 100～300 | SCL | 680～1000 |
PROM | 100 | STTL | 300～2500 |
CMoS | 250～2000 | DTL | 380～7000 |
HMOS | 50～500 | 肖特基二極管 | 300～3000 |
E／DMOS | 200～1000 | 雙極型晶體管 | 380～7000 |
ECL | 300～2500 | 石英壓電晶體 | ＜10000 |
從上（shàng）表可見大（dà）部分器件的（de）靜電破壞電壓都在（zài）幾百至幾（jǐ）千伏，而在幹燥的環境中（zhōng）人活動所產生的靜電可達幾千（qiān）伏到幾萬伏。
要想（xiǎng）獲得某個（gè）元器件的所能能承受的靜（jìng）電電壓要通過試驗才能測（cè）得。按照國內標準（zhǔn），一（yī）般（bān）使（shǐ）用靜電放電敏感度測試（shì）儀（yí）：
電子元器件靜電敏感度的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半導體靜電放電模擬試驗器，而用電子（zǐ）元器件（jiàn）組裝成（chéng）組件、整機的電子設（shè）備靜電試驗則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來（lái）做試驗。
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